对比图
型号 IRF1010NSTRLPBF PSMN012-80PS IRF1010NSPBF
描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。N 通道 MOSFET，10A 至 99A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP SemiconductorsN 通道功率 MOSFET 80A 至 99A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3
额定功率 180 W 148 W 3.8 W
漏源极电阻 0.011 Ω 0.009 Ω 11 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 180 W 148 W 180 W
阈值电压 4 V 3 V 2V ~ 4V
漏源极电压(Vds) 55 V 80 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 85A 74A 85A
输入电容(Ciss) 3210pF @25V(Vds) 2782pF @12V(Vds) 3210pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 180 W 148 W 180 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 180W (Tc) 148 W 180W (Tc)
针脚数 3 - -
输入电容 3210 pF - -
上升时间 76 ns - 76 ns
反向恢复时间 69 ns - -
正向电压(Max) 1.3 V - -
下降时间 48 ns - 48 ns
工作结温 -55℃ ~ 175℃ - -
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 55 V
长度 10.67 mm 10.3 mm 10.67 mm
宽度 11.3 mm 4.7 mm 9.65 mm
高度 4.83 mm 16 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - Silicon
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -