PHK12NQ10T参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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PHK12NQ10T中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 8.90 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 11.6A

上升时间 21 ns

输入电容Ciss 1965pF @25VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 8900 mW

封装参数

引脚数 8

封装 SO

外形尺寸

封装 SO

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHK12NQ10T

型号： PHK12NQ10T

制造商： NXP 恩智浦

描述：N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FET

替代型号PHK12NQ10T

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

PHK12NQ10T

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PHK12NQ10T,518

恩智浦

功能相似

PHK12NQ10T和PHK12NQ10T,518的区别