对比图
描述 N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FETSO N-CH 100V 11.6A
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
引脚数 8 8
封装 SO SO-8
安装方式 - Surface Mount
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 8.90 W 8.9 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 11.6A 11.6 A
上升时间 21 ns 21 ns
输入电容(Ciss) 1965pF @25V(Vds) 1965pF @25V(Vds)
下降时间 11 ns 11 ns
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 8900 mW 8.9W (Tc)
封装 SO SO-8
产品生命周期 Unknown Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)