NXP PHT6N06T 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 55 V, 150 mohm, 10 V, 3 V
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 55V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 5.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.15Ω/Ohm @5A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 2.0-4.0V 耗散功率Pd Power Dissipation| 8.3W Description & Applications| 描述与应用|
欧时:
N 通道 MOSFET，1A 至 9A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4-Pin3+Tab SC-73
针脚数 3
漏源极电阻 150 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 8.3 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 2.50 A
输入电容Ciss 175pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 8300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-223
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 SOT-223
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PHT6N06T NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PHT6N06LT 恩智浦 | 类似代替 | PHT6N06T和PHT6N06LT的区别 |
BUK78150-55A 恩智浦 | 类似代替 | PHT6N06T和BUK78150-55A的区别 |
BUK98150-55A 安世 | 类似代替 | PHT6N06T和BUK98150-55A的区别 |