PHT6N06LT和PHT6N06T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PHT6N06LT PHT6N06T BSP318S

描述 NXP  PHT6N06LT  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 55 V, 150 mohm, 5 V, 1.5 VNXP  PHT6N06T  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 55 V, 150 mohm, 10 V, 3 VInfineon SIPMOS® N 通道 MOSFET

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-223 SOT-223 SOT-223

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 150 mΩ 150 mΩ 0.07 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 8.3 W 8.3 W 1.8 W

阈值电压 1.5 V 3 V 1.6 V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 5.50 A 2.50 A 2.60 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

输入电容(Ciss) - 175pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds)

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 8300 mW 1.8 W

封装 SOT-223 SOT-223 SOT-223

长度 - 6.7 mm 6.5 mm

宽度 - 3.7 mm 3.5 mm

高度 - 1.7 mm 1.6 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台