PNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO | -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO | −50V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC | -3A 截止频率fTTranstion FrequencyfT | 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE | 200 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage | -390mV/-0.39V 耗散功率PcPoWer Dissipation | 550mW/0.55W Description & Applications | 50 V low VCEsat PNP transistor FEATURES • SOT89 SC-62 package • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability: IC and ICM • Higher efficiency leading to less heat generation • Reduced printed-circuit board requirements. • NPN complement: PBSS4350X. APPLICATIONS • Power management - DC/DC converters - Supply line switching - Battery charger - LCD backlighting. • Peripheral drivers - Driver in low supply voltage applications e.g. lamps and LEDs. - Inductive load driver e.g. relays, buzzers and motors. 描述与应用 | 50伏的低VCE(sat)的PNP 特点 •SOT89(SC-62)封装 •低集电极 - 发射极饱和电压VCE监测 •高集电极电流能力:IC和ICM •更高的效率,导致产生的热量少 •减少印刷电路板的要求。 •NPN补充:PBSS4350X。 应用 •电源管理 - DC/ DC转换器 - 电源线开关 - 电池充电器 - LCD背光。 •外设驱动程序 - 驱动器,在低电源电压应用(例如灯具和LED)。 - 感性负载驱动器(如继电器,蜂鸣器和电机)。
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 550 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 80
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1.6 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89
长度 4.6 mm
宽度 2.6 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-89
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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PBSS5350X NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PBSS5350X,115 恩智浦 | 功能相似 | PBSS5350X和PBSS5350X,115的区别 |
PBSS5350X,135 恩智浦 | 功能相似 | PBSS5350X和PBSS5350X,135的区别 |