NXP PBSS5560PA 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 90 MHz, 2.1 W, -5 A, 265 hFE
低饱和电压 PNP ,Nexperia
一系列 BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。
欧时:
NXP PBSS5560PA , PNP 低饱和度双极晶体管, 5 A, Vce=60 V, HFE:90, 100 MHz, 3引脚 HUSON封装
Newark:
# NXP PBSS5560PA Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -60 V, 90 MHz, 2.1 W, -5 A, 265 hFE
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 2.1 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 90
直流电流增益hFE 265
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-1061
长度 2.1 mm
宽度 2.1 mm
高度 0.65 mm
封装 SOT-1061
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Industrial, Motor Drive & Control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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