PBSS5560PA

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PBSS5560PA概述

NXP  PBSS5560PA  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 90 MHz, 2.1 W, -5 A, 265 hFE

低饱和电压 PNP ,Nexperia

一系列 BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。


欧时:
NXP PBSS5560PA , PNP 低饱和度双极晶体管, 5 A, Vce=60 V, HFE:90, 100 MHz, 3引脚 HUSON封装


Newark:
# NXP  PBSS5560PA  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -60 V, 90 MHz, 2.1 W, -5 A, 265 hFE


PBSS5560PA中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 2.1 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 90

直流电流增益hFE 265

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-1061

外形尺寸

长度 2.1 mm

宽度 2.1 mm

高度 0.65 mm

封装 SOT-1061

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Industrial, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PBSS5560PA
型号: PBSS5560PA
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PBSS5560PA  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 90 MHz, 2.1 W, -5 A, 265 hFE
替代型号PBSS5560PA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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