PBSS5560PA和PBSS5580PA,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBSS5560PA PBSS5580PA,115 PBSS5580PA

描述 NXP  PBSS5560PA  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 90 MHz, 2.1 W, -5 A, 265 hFEHUSON3 PNP 80V 4A低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-1061 SOT-3 HUSON

最小电流放大倍数(hFE) 90 140 @2A, 2V 70

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 500 mW - 500 mW

极性 PNP PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 80 V -

集电极最大允许电流 5A 4A -

最大电流放大倍数(hFE) - 265 -

额定功率(Max) - 2.1 W -

针脚数 3 - -

耗散功率 2.1 W - -

直流电流增益(hFE) 265 - -

长度 2.1 mm - 2.1 mm

宽度 2.1 mm 2.1 mm 2.1 mm

高度 0.65 mm - 0.65 mm

封装 SOT-1061 SOT-3 HUSON

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

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