PBSS4140DPN

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PBSS4140DPN概述

NXP  PBSS4140DPN  双极晶体管阵列, 通用, NPN, PNP, 40 V, 370 mW, -1 A, 300 hFE, SOT-457

The is a NPN-PNP low VCEsat Bipolar Transistor Array in a plastic package replaces two SOT23 packaged low VCEsat transistors on same PCB area. It is suitable for use in general purpose switching and muting, LCD backlighting, supply line switching circuits, battery driven equipment in mobile phones, video cameras and hand-held devices.

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Low collector-emitter saturation voltage
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High current capability
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Improved device reliability due to reduced heat generation
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Reduces required PCB area
PBSS4140DPN中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

极性 NPN, PNP

耗散功率 370 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 1A

直流电流增益hFE 300

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 SOT-457

外形尺寸

封装 SOT-457

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

PBSS4140DPN引脚图与封装图
PBSS4140DPN引脚图
PBSS4140DPN封装图
PBSS4140DPN封装焊盘图
在线购买PBSS4140DPN
型号: PBSS4140DPN
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PBSS4140DPN  双极晶体管阵列, 通用, NPN, PNP, 40 V, 370 mW, -1 A, 300 hFE, SOT-457
替代型号PBSS4140DPN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PBSS4140DPN

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PBSS4140DPN,115

恩智浦

完全替代

PBSS4140DPN和PBSS4140DPN,115的区别

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