PBSS4140DPN和PBSS4140DPN,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBSS4140DPN PBSS4140DPN,115 PBSS4140DPNT/R

描述 NXP  PBSS4140DPN  双极晶体管阵列, 通用, NPN, PNP, 40 V, 370 mW, -1 A, 300 hFE, SOT-457NXP  PBSS4140DPN,115  双极晶体管阵列, NPN, PNP, 40 V, 370 mW, 1 A, 300 hFE, SOT-457Small Signal Bipolar Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 6 6 -

封装 SOT-457 SC-74-6 -

频率 - 150 MHz -

针脚数 6 6 -

极性 NPN, PNP NPN, PNP -

耗散功率 370 mW 370 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V -

集电极最大允许电流 1A 1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 300 @500mA, 5V -

额定功率(Max) - 600 mW -

直流电流增益(hFE) 300 300 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 370 mW -

长度 - 3.1 mm -

宽度 - 1.7 mm -

高度 - 1 mm -

封装 SOT-457 SC-74-6 -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

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