PNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
The is a 1A PNP breakthrough-in small signal BISS Transistor in a medium power surface-mount plastic package with increased heat-sink.
针脚数 4
极性 PNP
耗散功率 700 mW
击穿电压集电极-发射极 150 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 100
直流电流增益hFE 220
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.4 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.8 mm
封装 SOT-223
产品生命周期 Unknown
制造应用 Lighting, Automotive, Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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PBHV9115Z NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PBHV9115Z,115 安世 | 功能相似 | PBHV9115Z和PBHV9115Z,115的区别 |