对比图
描述 PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP SemiconductorsNXP PBHV9115Z,115 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=150 V, HFE:100, 100 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4
封装 SOT-223 TO-261-4
针脚数 4 4
极性 PNP -
耗散功率 700 mW 700 mW
击穿电压(集电极-发射极) 150 V 150 V
集电极最大允许电流 1A -
最小电流放大倍数(hFE) 100 100 @100mA, 10V
直流电流增益(hFE) 220 220
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.4 W 1.4 W
频率 - -
额定功率(Max) - 1.4 W
额定功率 - 0.7 W
长度 6.7 mm 6.7 mm
宽度 3.7 mm 3.7 mm
高度 1.8 mm 1.8 mm
封装 SOT-223 TO-261-4
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 -
工作温度 - 150℃ (TJ)