雷达脉冲功率晶体管11W ， 3.1-3.4千兆赫， 1μs的脉冲， 10 ％占空比 Radar Pulsed Power Transistor 11W, 3.1-3.4 GHz, 1μs Pulse, 10% Duty
RF NPN 60V 1.3A - 11W 底座安装 -
得捷: RF TRANS NPN 60V
击穿电压集电极-发射极 60 V
增益 8 dB
额定功率Max 11 W
封装 -
工作温度 200℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册