PD20010TR-E

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PD20010TR-E概述

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RF power tran LdmoST N-chann

RF Mosfet LDMOS 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF(成形引线)


得捷:
TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM


贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RF power tran LdmoST N-chann


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 40V 5A 3-Pin PowerSO-10RF Formed lead T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin2+2Tab PowerSO-10RF Formed lead T/R


Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 40V 5A 3-Pin2+Tab PowerSO-10RF Formed lead T/R


DeviceMart:
TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM


PD20010TR-E中文资料参数规格
技术参数

频率 2 GHz

耗散功率 59 W

漏源极电压Vds 40 V

输出功率 10 W

增益 11 dB

测试电流 150 mA

输入电容Ciss 45pF @12.5VVds

工作温度Max 165 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 59000 mW

额定电压 40 V

封装参数

引脚数 3

封装 PowerSO-10RF

外形尺寸

封装 PowerSO-10RF

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 165℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PD20010TR-E
型号: PD20010TR-E
描述:射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RF power tran LdmoST N-chann
替代型号PD20010TR-E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PD20010TR-E

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

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PD20010-E

意法半导体

完全替代

PD20010TR-E和PD20010-E的区别

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