对比图
描述 10W,13.6V,2GHz,射频LDMOS晶体管射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power tran LdmoST N-chann
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 晶体管晶体管
引脚数 3 3
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF
频率 2 GHz 2 GHz
额定电流 5 A -
针脚数 3 -
耗散功率 59 W 59 W
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V
输出功率 10 W 10 W
增益 11 dB 11 dB
测试电流 150 mA 150 mA
输入电容(Ciss) 45pF @12.5V(Vds) 45pF @12.5V(Vds)
工作温度(Max) 165 ℃ 165 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 59000 mW 59000 mW
额定电压 40 V 40 V
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 -
工作温度 - -65℃ ~ 165℃