PD85025S-E

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PD85025S-E概述

RF功率晶体管, LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs

This RF amplifier from STMicroelectronics is a semiconductor-based transistor that amplifies or switches electronic signals and electrical power in a circuit. Its maximum power dissipation is 79000 mW. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This N channel RF power MOSFET operates in enhancement mode. Its maximum frequency is 1000 MHz. This RF power MOSFET has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 165 °C.

PD85025S-E中文资料参数规格
技术参数

频率 870 MHz

耗散功率 79 W

输出功率 10 W

增益 17.3 dB

测试电流 300 mA

输入电容Ciss 55pF @12.5VVds

工作温度Max 165 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 79000 mW

额定电压 40 V

封装参数

引脚数 3

封装 PowerSO-10RF

外形尺寸

长度 9.4 mm

宽度 7.5 mm

高度 3.5 mm

封装 PowerSO-10RF

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 165℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买PD85025S-E
型号: PD85025S-E
描述:RF功率晶体管, LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs
替代型号PD85025S-E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PD85025S-E

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

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