PD85025S-E和PD85025STR-E

对比图

型号 PD85025S-E PD85025STR-E PD85025TR-E

描述 RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETsRF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETsRF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管晶体管晶体管

引脚数 3 3 3

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10RF

安装方式 - Surface Mount -

频率 870 MHz 870 MHz 870 MHz

耗散功率 79 W 79 W 79000 mW

输出功率 10 W 10 W 10 W

增益 17.3 dB 17.3 dB 17.3 dB

测试电流 300 mA 300 mA 300 mA

输入电容(Ciss) 55pF @12.5V(Vds) 55pF @12.5V(Vds) 55pF @12.5V(Vds)

工作温度(Max) 165 ℃ 165 ℃ 165 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 79000 mW 79000 mW 79000 mW

额定电压 40 V 40 V 40 V

额定电流 - 7 A -

漏源击穿电压 - 40 V -

长度 9.4 mm 9.4 mm -

宽度 7.5 mm 7.5 mm -

高度 3.5 mm 3.5 mm -

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10RF

工作温度 -65℃ ~ 165℃ - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99