PD57006S-E

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PD57006S-E概述

LDMOST 系列 N沟道 增强模式 射频 功率晶体管 PowerSO-10RF

Amplifying and switching electronic signals in radio frequency environments is easy with this RF amplifier from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 20000 mW. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This RF power MOSFET has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 165 °C. Its maximum frequency is 945 MHz. This N channel RF power MOSFET operates in enhancement mode.

PD57006S-E中文资料参数规格
技术参数

频率 945 MHz

额定电流 1 A

耗散功率 20 W

漏源击穿电压 65 V

输出功率 6 W

增益 15 dB

测试电流 70 mA

输入电容Ciss 27pF @28VVds

工作温度Max 165 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 20000 mW

额定电压 65 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 PowerSO-10RF

外形尺寸

长度 7.5 mm

宽度 9.4 mm

高度 3.5 mm

封装 PowerSO-10RF

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买PD57006S-E
型号: PD57006S-E
描述:LDMOST 系列 N沟道 增强模式 射频 功率晶体管 PowerSO-10RF
替代型号PD57006S-E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PD57006S-E

ST Microelectronics 意法半导体

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