PD57006S-E和PD57006TR-E

对比图

型号 PD57006S-E PD57006TR-E PD57006S

描述 LDMOST 系列 N沟道 增强模式 射频 功率晶体管 PowerSO-10RFRF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETsRF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管MOS管晶体管

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

频率 945 MHz 945 MHz 945 MHz

极性 - - N-Channel

耗散功率 20 W 20000 mW 20.0 W

漏源击穿电压 65 V - 65.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 1.00 A

输出功率 6 W 6 W 6 W

增益 15 dB 15 dB 15 dB

测试电流 70 mA 70 mA 70 mA

额定电压 65 V 65 V 65 V

额定电流 1 A - -

输入电容(Ciss) 27pF @28V(Vds) 27pF @28V(Vds) -

工作温度(Max) 165 ℃ 165 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 20000 mW 20000 mW -

漏源极电压(Vds) - 65 V -

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10

长度 7.5 mm - -

宽度 9.4 mm - -

高度 3.5 mm - -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

工作温度 - -65℃ ~ 165℃ -