PD20010-E

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PD20010-E概述

10W,13.6V,2GHz,射频LDMOS晶体管

RF Mosfet LDMOS 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF(成形引线)


得捷:
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF


e络盟:
晶体管, 射频FET, 40 V, 5 A, 59 W, 2 GHz, PowerSO-10RF


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 40V 5A 3-Pin PowerSO-10RF Formed lead Tube


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 40V 5A 3-Pin PowerSO-10RF Formed lead Tube


力源芯城:
10W,13.6V,2GHz,射频LDMOS晶体管


DeviceMart:
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF


PD20010-E中文资料参数规格
技术参数

频率 2 GHz

额定电流 5 A

针脚数 3

耗散功率 59 W

漏源极电压Vds 40 V

输出功率 10 W

增益 11 dB

测试电流 150 mA

输入电容Ciss 45pF @12.5VVds

工作温度Max 165 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 59000 mW

额定电压 40 V

封装参数

引脚数 3

封装 PowerSO-10RF

外形尺寸

封装 PowerSO-10RF

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买PD20010-E
型号: PD20010-E
描述:10W,13.6V,2GHz,射频LDMOS晶体管
替代型号PD20010-E
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PD20010-E

ST Microelectronics 意法半导体

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PD20010TR-E

意法半导体

完全替代

PD20010-E和PD20010TR-E的区别

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