RF功率晶体管， LDMOST塑料家族的N沟道增强模式，横向MOSFET的 RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
RF Mosfet LDMOS 7.5V 150mA 500MHz 11.5dB 8W PowerSO-10RF Formed Lead
得捷:
TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF
贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST
艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 25V 5A 3-Pin PowerSO-10RF Formed lead T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V 5A 4-Pin2+2Tab PowerSO-10RF Formed lead T/R
Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 25V 5A 3-Pin2+Tab PowerSO-10RF Formed lead T/R
Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 25V 5A 3-Pin PowerSO-10RF Formed lead T/R
频率 500 MHz
耗散功率 73 W
漏源极电压Vds 25 V
输出功率 8 W
增益 11.5 dB
测试电流 150 mA
输入电容Ciss 91pF @7.5VVds
工作温度Max 165 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 73000 mW
额定电压 25 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 PowerSO-10RF
长度 7.5 mm
宽度 9.4 mm
高度 3.5 mm
封装 PowerSO-10RF
工作温度 -65℃ ~ 165℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PD54008TR-E ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
PD54008S-E 意法半导体 | 类似代替 | PD54008TR-E和PD54008S-E的区别 |
PD54008L-E 意法半导体 | 功能相似 | PD54008TR-E和PD54008L-E的区别 |
PD54008-E 意法半导体 | 功能相似 | PD54008TR-E和PD54008-E的区别 |