对比图
型号 PD54008S-E PD54008TR-E PD54008-E
描述 RF功率晶体管， LDMOST塑料家族的N沟道增强模式，横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETsRF功率晶体管， LDMOST塑料家族的N沟道增强模式，横向MOSFET的 RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode, lateral MOSFETsRF功率晶体管， LDMOST塑料家族的N沟道增强模式，横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 晶体管MOS管晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10
频率 500 MHz 500 MHz 500 MHz
耗散功率 73000 mW 73 W 73000 mW
漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 25.0 V
输出功率 8 W 8 W 8 W
增益 11.5 dB 11.5 dB 11.5 dB
测试电流 150 mA 150 mA 150 mA
输入电容(Ciss) 91pF @7.5V(Vds) 91pF @7.5V(Vds) 91pF @7.5V(Vds)
工作温度(Max) 165 ℃ 165 ℃ 165 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 73000 mW 73000 mW 73000 mW
额定电压 25 V 25 V 25 V
额定电压(DC) - - 25.0 V
额定电流 - - 5 A
连续漏极电流(Ids) - - 5.00 A
长度 - 7.5 mm -
宽度 - 9.4 mm -
高度 - 3.5 mm -
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10
工作温度 -65℃ ~ 165℃ -65℃ ~ 165℃ -65℃ ~ 165℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99