PUMB19,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PUMB19,115概述

TSSOP PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA - 300mW Surface Mount 6-TSSOP

得捷:
NOW NEXPERIA PUMB19 - SMALL SIGN

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin TSSOP T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin SC-88 T/R

PUMB19,115中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-363-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PUMB19,115

型号： PUMB19,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：TSSOP PNP 50V 100mA