PD55003STR-E参数规格_中文资料_数据手册PDF

PD55003STR-E概述

RF功率晶体管， LDMOST塑料家族的N沟道增强模式，横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs

RF Mosfet LDMOS 12.5 V 50 mA 500MHz 17dB 3W PowerSO-10RF（直引线）

得捷:
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 40V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF Straight lead T/R

Win Source:
RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs

PD55003STR-E中文资料参数规格

技术参数

频率 500 MHz

耗散功率 31700 mW

输出功率 3 W

增益 17 dB

测试电流 50 mA

输入电容Ciss 36pF @12.5VVds

工作温度Max 165 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 31700 mW

额定电压 40 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 PowerSO-10

外形尺寸

封装 PowerSO-10

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买PD55003STR-E

型号： PD55003STR-E

描述：RF功率晶体管， LDMOST塑料家族的N沟道增强模式，横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs

替代型号PD55003STR-E

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PD55003STR-E ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
PD55003TR-E 意法半导体	完全替代	PD55003STR-E和PD55003TR-E的区别
PD55003 意法半导体	完全替代	PD55003STR-E和PD55003的区别
PD55003S 意法半导体	类似代替	PD55003STR-E和PD55003S的区别