PD85035TR-E

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PD85035TR-E概述

RF功率晶体管, LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs

RF Mosfet LDMOS 13.6V 350mA 870MHz 17dB 15W PowerSO-10RF Formed Lead


得捷:
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF


PD85035TR-E中文资料参数规格
技术参数

频率 870 MHz

耗散功率 95000 mW

输出功率 15 W

增益 17 dB

测试电流 350 mA

输入电容Ciss 76pF @12.5VVds

工作温度Max 165 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 95000 mW

额定电压 40 V

封装参数

引脚数 3

封装 PowerSO-10RF

外形尺寸

高度 3.5 mm

封装 PowerSO-10RF

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PD85035TR-E
型号: PD85035TR-E
描述:RF功率晶体管, LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs
替代型号PD85035TR-E
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PD85035TR-E

ST Microelectronics 意法半导体

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PD85035TR-E和PD85035-E的区别

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