PLZ24B-G3/H概述
500mW，PLZ 系列，Vishay SemiconductorVishay Semiconductor PLZ 系列齐纳二极管具有 500mW 最大功耗，采用小巧的 MicroSMF SOD-323FL SMT 封装。 这些硅平面齐纳二极管具有极佳的稳定性和明确的反向击穿特性，及低泄漏电流。 它们可耐受 HBM 1500R/100 pF ± 8kV ESD 脉冲。### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor
The is an ultra-small silicon planar Zener Diode features low leakage current and excellent stability.
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- Low profile surface mount package
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- High temperature soldering 260°C/10s at terminals
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- Wave and reflow solderable reflow as per JPC/JEDEC® J-STD 020 double wave as per IEC 61760-1
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- Designed to withstand ESD pulses HBM 1500R/100pF/±8000V, MM 0R/200pF/±800V
PLZ24B-G3/H中文资料参数规格
技术参数
容差 ±3 %
针脚数 2
正向电压 0.8 V
耗散功率 500 mW
测试电流 5 mA
稳压值 24 V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-323
外形尺寸
长度 1.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.6 mm
封装 SOD-323
物理参数
工作温度 150 ℃
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买PLZ24B-G3/H
型号： PLZ24B-G3/H
描述：500mW，PLZ 系列，Vishay Semiconductor Vishay Semiconductor PLZ 系列齐纳二极管具有 500mW 最大功耗，采用小巧的 MicroSMF SOD-323FL SMT 封装。 这些硅平面齐纳二极管具有极佳的稳定性和明确的反向击穿特性，及低泄漏电流。 它们可耐受 HBM 1500R/100 pF ± 8kV ESD 脉冲。 ### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor