PBSS4220V,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PBSS4220V,115概述

PBSS4220V - 20 V、2 A NPN低VCEsat BISS晶体管

Bipolar BJT Transistor NPN 20V 2A 210MHz 900mW Surface Mount SOT-666

得捷:
NEXPERIA PBSS4220V - SMALL SIGNA

艾睿:
Trans GP BJT NPN 20V 2A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R

安富利:
Trans GP BJT NPN 20V 2A 6-Pin SOT-666 T/R

Win Source:
TRANS NPN 20V 2A SOT666

DeviceMart:
TRANS NPN 20V 2A LOW SAT SOT666

PBSS4220V,115中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 900 mW

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 200 @1A, 2V

最大电流放大倍数hFE 220 @1mA, 2V

额定功率Max 900 mW

耗散功率Max 900 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PBSS4220V,115

型号： PBSS4220V,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：PBSS4220V - 20 V、2 A NPN低VCEsat BISS晶体管

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替代型号PBSS4220V,115

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