对比图
描述 20 V ，2 A NPN低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 20 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistorPBSS4220V - 20 V、2 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-666 SOT-563
引脚数 6 -
极性 NPN NPN
耗散功率 900 mW 900 mW
击穿电压(集电极-发射极) 20 V 20 V
集电极最大允许电流 2A 2A
最小电流放大倍数(hFE) - 200 @1A, 2V
最大电流放大倍数(hFE) - 220 @1mA, 2V
额定功率(Max) - 900 mW
耗散功率(Max) - 900 mW
直流电流增益(hFE) 200 -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -
额定功率 - -
封装 SOT-666 SOT-563
工作温度 -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 -