PBSS5330PA,115

PBSS5330PA,115图片1
PBSS5330PA,115图片2
PBSS5330PA,115图片3
PBSS5330PA,115图片4
PBSS5330PA,115图片5
PBSS5330PA,115图片6
PBSS5330PA,115概述

PBSS5330PA - 30 V,3 A PNP低VCEsat BISS晶体管

Bipolar BJT Transistor PNP 30V 3A 165MHz 2.1W Surface Mount 3-HUSON 2x2


得捷:
TRANSISTOR PNP 30V 3A SOT1061


艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 3A 3-Pin HUSON T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 30V 3A 3-Pin HUSON T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 30V 3A 3-Pin HUSON T/R


DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 30V 3A SOT1061


PBSS5330PA,115中文资料参数规格
技术参数

频率 165 MHz

极性 PNP

耗散功率 2.1 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 175 @1A, 2V

额定功率Max 2.1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-3

外形尺寸

封装 SOT-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PBSS5330PA,115
型号: PBSS5330PA,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:PBSS5330PA - 30 V,3 A PNP低VCEsat BISS晶体管

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台