PBSS5260PAP,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PBSS5260PAP,115概述

DFN PNP 60V 2A

Bipolar BJT Transistor Array 2 PNP Dual 60V 2A 100MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON 2x2

得捷:
NOW NEXPERIA PBSS5260PAP - SMALL

艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 2A Automotive 6-Pin DFN EP T/R

PBSS5260PAP,115中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 110 @1A, 2V

最大电流放大倍数hFE 250

额定功率Max 510 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 uDFN-6

外形尺寸

封装 uDFN-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PBSS5260PAP,115

型号： PBSS5260PAP,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：DFN PNP 60V 2A