MOSFET 晶体管，STMicroelectronics射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
射频 MOSFET ，STMicroelectronics
射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。
欧时:
### 射频 MOSFET 晶体管，STMicroelectronics射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
得捷:
RF MOSFET LDMOS 13.6V POWERSO-10
贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 50W 13.6V 870MHz LDMOS in PowerSO-10RF plastic package
艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 50V 3-Pin PowerSO-10RF Straight lead Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 50V 2-Pin PowerSO-10RF Tube
频率 870 MHz
耗散功率 105 W
输出功率 50 W
增益 12 dB
测试电流 500 mA
输入电容Ciss 110pF @12VVds
工作温度Max 165 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 105 W
额定电压 50 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 10
封装 PowerSO-10RF
长度 15.65 mm
宽度 9.6 mm
高度 3.6 mm
封装 PowerSO-10RF
工作温度 -65℃ ~ 165℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR