PSMN003-30P

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PSMN003-30P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 75.0 A

极性 N-CH

耗散功率 230 W

输入电容 9.20 nF

栅电荷 170 nC

漏源极电压Vds 30.0 V

连续漏极电流Ids 75.0 A

上升时间 66 ns

下降时间 115 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.3 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PSMN003-30P
型号: PSMN003-30P
制造商: NXP 恩智浦
描述:N沟道的TrenchMOS中级FET N-channel TrenchMOS intermediate level FET

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