通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistor PNP Silicon
- 双极 BJT - 单 PNP 40 V 200 mA 250MHz 1.5 W 表面贴装型 SOT-223（TO-261）
得捷:
TRANS PNP 40V 0.2A SOT223
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 0.2A 40V 1.5W PNP
艾睿:
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 1500mW 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
额定电压DC -40.0 V
额定电流 -200 mA
极性 PNP
耗散功率 1.5 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
额定功率Max 1.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.57 mm
封装 TO-261-4
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PZT3906T1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
PZT3906T1G 安森美 | 完全替代 | PZT3906T1和PZT3906T1G的区别 |