PHKD13N03LT,118参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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PHKD13N03LT,118中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 752pF @15VVds

额定功率Max 3.57 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHKD13N03LT,118

型号： PHKD13N03LT,118

制造商： NXP 恩智浦

描述：Trans MOSFET N-CH 30V 10.4A 8Pin SO T/R

替代型号PHKD13N03LT,118

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NXP 恩智浦

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