PHKD13N03LT,518和PHKD13N03LT,118

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PHKD13N03LT,518 PHKD13N03LT,118 FDS8984

描述 SO N-CH 30V 10.4ATrans MOSFET N-CH 30V 10.4A 8Pin SO T/RFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8984  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.7 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 8 - 8

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 752pF @15V(Vds) 752pF @15V(Vds) 635pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 3.57 W 3.57 W 1.6 W

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 7.00 A

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - - 0.019 Ω

极性 N-CH - Dual N-Channel

耗散功率 3.57 W - 1.6 W

阈值电压 - - 1.7 V

输入电容 - - 635 pF

栅电荷 - - 13.0 nC

漏源击穿电压 - - 30.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 10.4A - 7.00 mA

上升时间 7 ns - 9 ns

下降时间 11 ns - 21 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 1.6 W

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.5 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 - - NLR

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