PHB110NQ06LT,118

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PHB110NQ06LT,118概述

D2PAK N-CH 55V 75A

表面贴装型 N 通道 55 V 75A(Tc) 200W(Tc) D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK


贸泽:
MOSFET N-CH TRENCH 55V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 75A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 55V 75A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK


PHB110NQ06LT,118中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 200 W

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 75.0 A

上升时间 123 ns

输入电容Ciss 3960pF @25VVds

额定功率Max 200 W

下降时间 86 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.3 mm

宽度 9.4 mm

高度 4.5 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHB110NQ06LT,118
型号: PHB110NQ06LT,118
制造商: NXP 恩智浦
描述:D2PAK N-CH 55V 75A
替代型号PHB110NQ06LT,118
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PHB110NQ06LT,118

NXP 恩智浦

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恩智浦

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PHB110NQ06LT,118和PHB110NQ06LT的区别

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