对比图
型号 PHB110NQ06LT PHB110NQ06LT,118
描述 N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FETD2PAK N-CH 55V 75A
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 3
封装 D2PAK TO-263-3
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 - 200 W
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 75A 75.0 A
上升时间 - 123 ns
输入电容(Ciss) - 3960pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 200 W
下降时间 - 86 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 200W (Tc)
长度 - 10.3 mm
宽度 - 9.4 mm
高度 - 4.5 mm
封装 D2PAK TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete
包装方式 - Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free