PEMD12,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PEMD12,115概述

NXP PEMD12,115 单晶体管双极, BRT, NPN, PNP, 50 V, 300 mW, 100 mA, 80 hFE

Bipolar BJT Transistor

得捷:
NEXPERIA PEMD12 - SMALL SIGNAL B

艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-666 T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-666 T/R

Verical:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-666 T/R

Newark:
# NXP PEMD12,115 Bipolar BJT Single Transistor, Brt, NPN, PNP, 50 V, 300 mW, 100 mA, 80 hFE

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

PEMD12,115中文资料参数规格

技术参数

针脚数 6

极性 NPN, PNP

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 5V

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 80

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-666

外形尺寸

高度 0.6 mm

封装 SOT-666

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PEMD12,115

型号： PEMD12,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：NXP PEMD12,115 单晶体管双极, BRT, NPN, PNP, 50 V, 300 mW, 100 mA, 80 hFE

替代型号PEMD12,115