对比图
型号 PEMD12,115 PEMD12,315 NSBC144EPDXV6T1G
描述 NXP PEMD12,115 单晶体管 双极, BRT, NPN, PNP, 50 V, 300 mW, 100 mA, 80 hFESOT-666 NPN+PNP 50V 100mA双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 SOT-666 SOT-666 SOT-563-6
极性 NPN, PNP NPN+PNP NPN, PNP
耗散功率 300 mW 0.3 W 0.5 W
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 5V 80 @5mA, 5V 80 @5mA, 10V
额定功率(Max) 300 mW 300 mW 500 mW
针脚数 6 - -
直流电流增益(hFE) 80 - -
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 300 mW - 500 mW
额定电压(DC) - - 50.0 V
额定电流 - - 100 mA
最大电流放大倍数(hFE) - - 80
高度 0.6 mm 0.6 mm 0.55 mm
封装 SOT-666 SOT-666 SOT-563-6
长度 - - 1.6 mm
宽度 - - 1.2 mm
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 - - EAR99