N 通道 MOSFET，1A 至 9A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
The is a N-channel enhancement-mode ultra-low level FET in a plastic package using TrenchMOS® technology. It is suitable for use in battery powered motor control, high speed switch in set top box power supplies and driver FET in DC to DC converter applications.
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- Very fast switching
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- Low threshold voltage
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- Surface-mount package
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- -55 to 150°C Junction temperature range
通道数 1
针脚数 6
漏源极电阻 0.028 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.75 W
阈值电压 700 mV
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 5.70 A
输入电容Ciss 740pF @10VVds
额定功率Max 1.75 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.75W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-457-6
长度 3.1 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 SOT-457-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Consumer Electronics, Communications & Networking, Industrial, Computers & Computer Peripherals, Power Management, Motor Drive & Control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PMN28UN,135 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
SI3442BDV-T1-E3 威世 | 功能相似 | PMN28UN,135和SI3442BDV-T1-E3的区别 |
PMV31XN 恩智浦 | 功能相似 | PMN28UN,135和PMV31XN的区别 |
PMV30UN,215 恩智浦 | 功能相似 | PMN28UN,135和PMV30UN,215的区别 |