SI3442BDV-T1-E3和PMN28UN,135

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI3442BDV-T1-E3 PMN28UN,135 NTGS3446T1G

描述 N沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETN 通道 MOSFET,1A 至 9A,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP SemiconductorsN 通道功率 MOSFET,20V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 TSOP-6 SOT-457-6 SOT-23-6

额定电压(DC) - - 20.0 V

额定电流 - - 5.10 A

针脚数 6 6 6

漏源极电阻 0.045 Ω 0.028 Ω 0.045 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.67 W 1.75 W 2 W

阈值电压 1.8 V 700 mV 850 mV

输入电容 - - 510pF @10V

栅电荷 - - 15.0 nC

漏源极电压(Vds) 20 V 12 V 20 V

漏源击穿电压 20.0 V - 20 V

栅源击穿电压 ±12.0 V - ±12.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.00 A 5.70 A 5.10 A

上升时间 50 ns - 12 ns

输入电容(Ciss) 295pF @10V(Vds) 740pF @10V(Vds) 750pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 860 mW 1.75 W 500 mW

下降时间 15 ns - 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1670 mW 1.75W (Tc) 500mW (Ta)

通道数 - 1 -

长度 3.05 mm 3.1 mm 3.1 mm

宽度 1.65 mm 1.7 mm 1.7 mm

高度 1 mm 1 mm 1 mm

封装 TSOP-6 SOT-457-6 SOT-23-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 3000 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2016/06/20

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 - - EAR99

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