PHD16N03LT,118参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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PHD16N03LT,118概述

MOSFET N-CH 30V 16A DPAK

N-Channel 30V 16A Tc 32.6W Tc Surface Mount DPAK

得捷:
MOSFET N-CH 30V 16A DPAK

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 16A DPAK

PHD16N03LT,118中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 32.6 W

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 210pF @30VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 32.6W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHD16N03LT,118

型号： PHD16N03LT,118

制造商： NXP 恩智浦

描述：MOSFET N-CH 30V 16A DPAK

替代型号PHD16N03LT,118

型号/品牌

代替类型

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PHD16N03LT,118

NXP 恩智浦

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功能相似

PHD16N03LT,118和PHD16N03LT的区别