对比图
型号 PHD16N03LT PHD16N03LT,118
描述 N沟道的TrenchMOS ™逻辑电平FET N-channel TrenchMOS⑩ logic level FETMOSFET N-CH 30V 16A DPAK
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 DPAK TO-252-3
极性 N-CH -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 16A -
耗散功率 - 32.6 W
上升时间 - 6 ns
输入电容(Ciss) - 210pF @30V(Vds)
下降时间 - 5 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 32.6W (Tc)
封装 DPAK TO-252-3
长度 - 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm
高度 - 2.38 mm
产品生命周期 Unknown Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)