PSMN7R0-60YS,115中文资料参数规格
技术参数
针脚数 4
漏源极电阻 4.95 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 117 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 89A
上升时间 20.3 ns
输入电容Ciss 2712pF @30VVds
额定功率Max 117 W
下降时间 12.6 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 117W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-669
外形尺寸
封装 SOT-669
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买PSMN7R0-60YS,115
型号： PSMN7R0-60YS,115
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP PSMN7R0-60YS,115 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 89A, 4-SOT-669
替代型号PSMN7R0-60YS,115
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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