对比图
型号 PSMN7R0-60YS PSMN7R0-60YS,115
描述 NXP PSMN7R0-60YS 晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 60 V, 4.95 mohm, 10 V, 3 VNXP PSMN7R0-60YS,115 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 89A, 4-SOT-669
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4
封装 SOT-669 SOT-669
针脚数 4 4
漏源极电阻 0.00495 Ω 4.95 mΩ
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 117 W 117 W
阈值电压 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 89A 89A
上升时间 - 20.3 ns
输入电容(Ciss) 2712pF @30V(Vds) 2712pF @30V(Vds)
额定功率(Max) - 117 W
下降时间 - 12.6 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 117 W 117W (Tc)
封装 SOT-669 SOT-669
长度 5 mm -
宽度 4.1 mm -
高度 1.1 mm -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Exempt RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC -