PMT21EN概述
NXP PMT21EN 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.4 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.5 V
The is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor FET in surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. Suitable for high-speed line driver, low-side loadswitch and switching circuits.
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- Logic-level compatible
- .
- Very fast switching
贸泽:
NXP Semiconductors
e络盟:
NXP PMT21EN 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.4 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.5 V
PMT21EN中文资料参数规格
技术参数
针脚数 4
漏源极电阻 0.018 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 820 mW
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 7.4A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223
外形尺寸
封装 SOT-223
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
制造应用 Automotive, Industrial, 车用, 工业
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
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