N 通道 MOSFET，1A 至 9A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
The is a N-channel enhancement-mode FET in a plastic package using TrenchMOS™ technology. It is suitable for use in battery powered motor control, high speed switch in set top box power supplies and driver FET in DC to DC converter applications.
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- Very fast switching
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- Low threshold voltage
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- Surface-mount package
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- -55 to 150°C Junction temperature range
漏源极电阻 0.032 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.75 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 5.20 A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 495pF @25VVds
额定功率Max 1.75 W
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.75W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP-457
长度 3.1 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 TSOP-457
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Computers & Computer Peripherals, Portable Devices, Power Management, Industrial, Consumer Electronics, Motor Drive & Control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PMN45EN,135 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PMN45EN,165 恩智浦 | 完全替代 | PMN45EN,135和PMN45EN,165的区别 |
RTQ045N03TR 罗姆半导体 | 功能相似 | PMN45EN,135和RTQ045N03TR的区别 |
SI3456DDV-T1-GE3 威世 | 功能相似 | PMN45EN,135和SI3456DDV-T1-GE3的区别 |