对比图
型号 PMN45EN,135 SI3456DDV-T1-GE3 RTQ045N03TR
描述 N 通道 MOSFET，1A 至 9A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP SemiconductorsVISHAY SI3456DDV-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 33 mohm, 10 V, 1.2 V2.5V驱动N沟道MOS FET 2.5V Drive Nch MOS FET
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 TSOP-457 TSOP-6 TSOT-23-6
针脚数 - 6 -
漏源极电阻 0.032 Ω 0.033 Ω 420 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 1.75 W 1.7 W 1.25 W
阈值电压 1.5 V 1.2 V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
上升时间 19 ns 13 ns 31 ns
下降时间 16 ns 11 ns 30 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
连续漏极电流(Ids) 5.20 A - 4.50 A
输入电容(Ciss) 495pF @25V(Vds) - 540pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 1.75 W - 1.25 W
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 1.75W (Tc) - 1.25W (Ta)
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 4.50 A
漏源击穿电压 - - 30.0 V
封装 TSOP-457 TSOP-6 TSOT-23-6
长度 3.1 mm - -
宽度 1.7 mm - -
高度 1 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
产品生命周期 Obsolete - Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -
ECCN代码 - EAR99 -