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PMV60EN概述

NXP PMV60EN 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.7 A, 30 V, 55 mohm, 10 V, 2 V

The is a N-channel enhancement-mode FET in a plastic package using TrenchMOS™ technology. It is suitable for use in battery management and high speed switch applications.

.: Fast switching

.: Surface-mount package

.: -55 to 150°C Junction temperature range

PMV60EN中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 55 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 4.70 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号： PMV60EN

制造商： NXP 恩智浦

描述：NXP PMV60EN 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.7 A, 30 V, 55 mohm, 10 V, 2 V

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替代型号PMV60EN

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PMV60EN NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
PMV60EN,215 恩智浦	完全替代	PMV60EN和PMV60EN,215的区别
PMV45EN2 安世	类似代替	PMV60EN和PMV45EN2的区别
NTR4503NT1G 安森美	功能相似	PMV60EN和NTR4503NT1G的区别