PBSS4140DPN,115中文资料参数规格
技术参数
频率 150 MHz
针脚数 6
极性 NPN, PNP
耗散功率 370 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 300 @500mA, 5V
额定功率Max 600 mW
直流电流增益hFE 300
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 370 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-74-6
外形尺寸
长度 3.1 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 SC-74-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买PBSS4140DPN,115
型号： PBSS4140DPN,115
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP PBSS4140DPN,115 双极晶体管阵列, NPN, PNP, 40 V, 370 mW, 1 A, 300 hFE, SOT-457
替代型号PBSS4140DPN,115
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PBSS4140DPN,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PBSS4140DPN 恩智浦 | 完全替代 | PBSS4140DPN,115和PBSS4140DPN的区别 |